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Das Laserschutzgehäuse der Beschriftungstechnik Gärtner GmbH bietet eine zuverlässige und robuste Lösung zum Schutz vor schädlicher Laserstrahlung bei industriellen Anwendungen. Diese Gehäuse sind speziell für den Einsatz in der Laserbearbeitung konzipiert und gewährleisten höchste Sicherheit für Bediener und Umgebung. Sie schützen effektiv vor direkter und indirekter Laserstrahlung und erfüllen alle relevanten Sicherheitsnormen. Unsere Laserschutzgehäuse lassen sich einfach in bestehende Laseranlagen integrieren und bieten eine flexible Lösung für vielfältige Einsatzbereiche in der Industrie. Unsere Leistung umfasst: Schutz vor Laserstrahlung während des Markiervorgangs Laserschutzfenster zur risikofreien Überwachung des Innenraums Sicherheitsschalter verhindert Verletzungen durch Laserstrahlung während der Beschriftung Teleskoptisch zur komfortablen Platzierung des Werkstücks Anschluss für Laserrauchgasabsaugung vorbereitet Lasergehäuse in Laserschutzklasse 1 mit CE-Konformitätserklärung Eigenschaften und Vorteile: Maximaler Laserschutz: Die Laserschutzgehäuse bieten einen umfassenden Schutz vor direkter und gestreuter Laserstrahlung und erfüllen die geltenden Sicherheitsvorschriften, wie die Laserklassen 1 und 4, um den sicheren Betrieb Ihrer Laseranlage zu gewährleisten. Robuste Konstruktion: Unsere Gehäuse sind aus hochwertigen und langlebigen Materialien gefertigt, die eine lange Lebensdauer sowie hohe Widerstandsfähigkeit gegen äußere Einflüsse und intensive Nutzung bieten. Einfache Integration: Die Laserschutzgehäuse lassen sich problemlos in bestehende Laserbearbeitungsanlagen integrieren und bieten eine nahtlose Anpassung an verschiedene Lasergeräte und Arbeitsumgebungen. Modulare Bauweise: Dank der modularen Konstruktion können die Gehäuse flexibel an spezifische Anforderungen angepasst werden, egal ob für kleine oder große Laseranwendungen. So ermöglichen sie maßgeschneiderte Lösungen für jede Branche. Optimierte Ergonomie: Unsere Laserschutzgehäuse sind nicht nur sicher, sondern auch ergonomisch gestaltet, um eine einfache Bedienung und Wartung zu ermöglichen. Bediener profitieren von optimaler Zugänglichkeit und einer benutzerfreundlichen Steuerung. Visuelle Überwachung: Viele unserer Laserschutzgehäuse sind mit Sichtfenstern ausgestattet, die den sicheren Blick auf den Laserprozess ermöglichen, ohne die Schutzwirkung zu beeinträchtigen. Reduzierung von Stillstandszeiten: Durch den zuverlässigen Schutz vor Laserstrahlung wird das Risiko von Arbeitsunfällen minimiert, was die Sicherheit erhöht und gleichzeitig Ausfallzeiten verringert. Anpassungsfähig für verschiedene Lasersysteme: Unsere Laserschutzgehäuse können für verschiedene Arten von Lasersystemen wie Faserlaser, CO2-Laser und Diodenlaser konfiguriert werden. Zukunftssicher: Die Konstruktion unserer Gehäuse lässt sich bei Bedarf an neue Technologien oder erweiterte Anforderungen anpassen, was Ihnen eine langfristige Investitionssicherheit bietet. Die Laserschutzgehäuse von Beschriftungstechnik Gärtner GmbH bieten eine optimale Kombination aus Sicherheit, Funktionalität und Flexibilität für alle Branchen, in denen Laserbearbeitung eingesetzt wird. Vertrauen Sie auf unsere Erfahrung und sichern Sie Ihre Produktionsprozesse effektiv ab.

Neben der Bearbeitung von starren und flexiblen Materialien auf starren Trägersubstraten bieten wir die Bearbeitung von flexiblen Materialien im Sheet-zu-Sheet oder im Rolle-zu-Rolle-Verfahren an. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit der Rolle-zu-Rolle-Technologie: • Lasermikrostrukturierung und -Ablation • Laserbearbeitung „On-the-Fly“ oder „Step and Repeat“ • Rollenbreiten bis zu 300 mm möglich Einsatzgebiet: • Flexible Elektronik in der Medizinindustrie • Flexible Photovoltaik Zellen • Display-Industrie • Halbleiter-Industrie Neben der Bearbeitung von starren und flexiblen Materialien auf starren Trägersubstraten bieten wir die Bearbeitung von flexiblen Materialien im Sheet-zu-Sheet oder im Rolle-zu-Rolle-Verfahren an. Anwendungsbeispiele: • Dünnschichtabträge auf Rollenmaterial (z.B. Metall auf PET) • Freilegen von Leiterbahnen • Anrauhen von Lötpads

Die Schutzgaskammer SGC500 ist ein seperates Maschinenbauteil für Laserdrahtauftragschweißen Mit der tragbaren Schutzgaskammer SGC500 bietet coaxworks ein seperates Maschinenbauteil für CNC- und Roboter-basierte Laser-Draht-Schweißprozesse. Mittels einer flexiblen Folienhaube und einem Zusatzadapter am Laserschweißkopf lässt sich eine hochreine Schutzgasatmosphäre einrichten. Bodenseitige Anschlüsse für eine Durchlaufflutung mit inertem Argon-Gas ermöglichen einen stabilen Sauerstoffgehalt von unter 20 ppm bereits nach 20 Minuten. Die geeignete bearbeitbare Bauteilgröße liegt bei circa 150x150x150 mm³. Die Schutzgaskammer SGC500 besitzt folgende integrierte technische Besonderheiten: > eine Handhabungsklappe an der Frontseite zur schnellen Kammerbestückung bei installierter Folienhaube, > zwei frontseitige Handschuheingriffe für die Bauteilhandhabung im gefluteten Zustand, > eine herausnehmbare T-Nutenplatte zur definierten Aufspannung von Bauteilen, > drei Sichtfenster für die Prozessbeobachtung von außen und > ein oberseitiges Schnellspannsystem zur definierten Befestigung der Folienhaube.

Adapterplatte zum Löffelumbau 1 Stck

Die kraftvolle Einheit für Bohrungen bis Ø 352 mm mit leistungsstarkem Antrieb und optimalem Bohrständer Anwendung: Nassbohren in armierten Beton, Naturstein und Asphalt Bohreinheit für ein breites Anwendungsspektrum im Hoch- und Tiefbau sowie bei Installations- und Bohrbetrieben Merkmale: – Elektronik – Sanftanlauf, Temperatur- und Überlastabschaltung, Überlastanzeige, Drehzahlkonstanthaltung – Werkzeuganschluss 1¼" außen – für handelsübliche Bohrkronen Ø 45 - 352 mm – Serviceanzeige– rechtzeitiger Hinweis zum Wechsel der Kohlebürsten – 3-Gang Ölbadgetriebe mit Ölpumpe – optimale Schmierung in allen Arbeitspositionen – Mechanische Sicherheitskupplung – Schutz im Blockierfall – PUR-Baustellenkabel für starke Beanspruchung – Universalkupplung - werkzeugloses Befestigen des Motors am Ständer Merkmale: Bohrständer BST 352V – Schnellwechselplatte mit Universalkupplung – Maschinenaufnahme für Antriebsmotoren unterschiedlicher Hersteller – optional: Halsspannung Ø 60 mm mit Aufnahmeadapter (max. Bohr-Ø bis 202 mm) – Führung/Lager auf vier Spezialkugeln gelagerter Schlitten – Integrierte Libellen am Schlitten, Skalierung und Bohrlochmittenanzeiger am Bohrständer für exaktes Arbeiten – einfaches Ablesen der Bohrtiefe – Bohrsäule stufenlos schwenkbar bis 45° – Kompakter Kombifuß – Befestigung mit Dübel oder Vakuum (Vakuumset erforderlich) – Vorschubhebel recht/links umsteckbar - einfacher werkzeugloser Wechsel der Bedienseite – Aluminiumsäule – verwindungssteif, leicht, mit Abstützung rückwärtig – Justierschrauben – robust, exaktes Ausrichten – Radachse abnehmbar - einfacher Transport

Excimer Laser-Lift-Off mittels Square- oder Line-Beam-System. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile: • Langjährige Erfahrung und technologische Kompetenz in der Laserbearbeitung von Display- und Halbleitersubstraten • Unser LIFT-Modul für den industriellen Massentransfer garantiert höchste Kosteneffizienz durch 10-fach höhere Transferraten gegenüber Wettbewerbstechnologien und bietet Ihnen damit ein enormes Kostensparpotenzial • Transferraten von bis zu 1 Mio. MikroLED pro Stunde • Substratgrößen: bis zu 4-Zoll-Donor-Wafer und 6-Zoll-Receiver-Wafer • Ab Frühling 2023: Große Flexibilität in der Substratgröße – 6-Zoll-Donor-Wafer und bis zu Gen. 2 Empfänger-Substraten • In unserem Reinraum ist immer die passende Laserquelle für Ihre Anwendung verfügbar – egal ob Sie einen Excimer-Laser mit einer hohen Flächenleistung für einen selektiven Einsatz bevorzugen oder lieber einen scannerbasierten Festkörperlaser bevorzugen. • Selektiver RGB-LIFT von drei Donor-Substraten und der Color-Conversion Ansatz über nur ein Donor-Substrat ist beides möglich Zusätzliche technische Informationen: • Chip-Größe bis zu 5 µm • Straßen-Breite bis zu 5 µm • Positioniergenauigkeiten von weniger als 1 μm möglich • Abstand zwischen Donor-Wafer und Empfänger-Substrat bis +50 µm • Geeignet für MikroLED, miniLED und LED • Nutzung unterschiedlicher Laserquellen Bearbeitbare Materialien sind u.a.: • Glass inkl. Saphir • Glass ohne Saphir • Polymere Einsatzgebiet: • Display-Industrie • Halbleiterindustrie • Medizintechnik • Forschung und Entwicklung Der Displaymarkt unterliegt einem ständigen Wandel und regelmäßigen Neuerungen - von LCD über OLED, bis hin zu miniLED. MikroLED ist das aufkommende „next big Thing“ im Bereich von Display. Es wird prognostiziert, dass 2024 Smartwatches und bis 2027 Flagship-Smartphones mit MikroLED-Displays ausgestattet sein werden. Auch der steigende Einsatz von VR- und AR-Brillen in Industrie und im Privaten fördert die Nachfrage nach hochauflösenden MikroLED-Displays. Um bereits jetzt auf die Anforderungen von morgen gefasst zu sein, stehen wir Ihnen als kompetenter, innovativer und zuverlässiger Partner zur Seite. Mithilfe unseres innovativen und Inhouse-entwickeltem Laser-Systems microCETI ist Lohnfertigung im Rahmen von µLED-Transfer und Trimming Ihrer Displaykomponenten nun möglich. Von Prototyping, über kleine bis mittlere Chargen. Als marktweit erster Hersteller eines LIFT-Modules für die Massenherstellung sind wir der ideale Partner für die Produktion Ihrer µLED-Displays mit langjährigem Know-How im Bereich Laser-Technologien. Dabei können wir für Sie die Schritte des LLO-, LIFT- und Trimming-Prozesses übernehmen. Einzeln oder in Kombination. Anwendungsbeispiele: • Transfer von MikroLEDs mit der LIFT Methode • Timming MikroLED • Laser Lift-Off von Substraten von Semiconductor Wafer • Printing of Biomolecule Microarrays and Sensors • Printing of Cells and Tissue Engineering • Polymerstack für Röntgensensoren, flexible Leiterbahnen, usw

Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserer OCF-Technologie: • Homogene Prozessergebnisse durch Spot-Scanning • Flexible Programmierung und großer Parameterbereich für Testmuster • Bildet ohmsche Ni-Silizid-Grenzflächen • Machbarkeitsstudien und Rezepturentwicklung mit Ihren Mustern in unserem Labor • Hohe Flexibilität - perfekt geeignet für F&E-Ansätze • Prototyping und Co-Entwicklung möglich - Rezepturentwicklung für Ihre Metall-Stacks • 200 mm Waferbearbeitung - besonders geeignet für dünne Wafer Zusätzliche technische Informationen: • Laser-Sensor-Paket • Logfile-Funktion / Zugriffsrechteverwaltung • Standard-Waferdicke: 100 - 500 μm • Eignung für Wafer auf Glasträger Bearbeitbare Materialien sind: • Silizium (Si) • Siliziumkarbid (SiC) Einsatzgebiet: • Halbleiterindustrie • Power Devices Der Markt für Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) verzeichnet ein zweistelliges Wachstum, was auf die Vorteile von SiC bei der Steigerung der Leistungseffizienz und der Minimierung von Energieverlusten in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen, Stromversorgungen und Solarwechselrichtern zurückzuführen ist. Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit des Bauelements. Traditionell wurden für die OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern thermische Annealingprozesse mit Blitzlampen mit Millisekunden-Pulsen verwendet. Da für diesen Prozess Temperaturen von über 1000 °C erforderlich sind, die sich nachteilig auf die Strukturen auf der Vorderseite der Wafer auswirken können, sind Blitzlampen auf Waferdicken von 350 Mikrometern und mehr beschränkt. Da die Industrie nun zu dünneren SiC-Leistungsbauelementen übergeht, um die elektrische Leistung und das Wärmemanagement zu verbessern, werden neue Annealingverfahren benötigt, die diese thermischen Auswirkungen minimieren. Das Laserannealing mit UV-Nanosekundenpulsen bietet die hohe Präzision und Wiederholbarkeit, die für OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern erforderlich ist, und stellt gleichzeitig sicher, dass die Wafervorderseite nicht thermisch beschädigt wird, was die Leistung der Bauelemente beeinträchtigen kann.

Eine individuelle Anpassung an die Kundenwünsche und –anforderungen ist jederzeit möglich. Die max. Bauteilgröße beträgt 400 x 400 x 400 mm. Die Laserbox hat die Laserklasse 1 mit einem CE-Zeichen.

Laserfeinbohren unterschiedlichster Materialien bis zu 3µm Durchmesser. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Die Vorteile des Laserbohrens: • Lochdurchmesser ab 3 µm • Hohe Präzision • Keine Mikrorisse • Sehr geringer Wärmeeintrag in das umliegende Material • Scharfkantiger Bohrungsrand ohne Aufwürfe und Grat • Außerordentliche Gestaltungsfreiheit in der Lochgeometrie • Berührungsloses Verfahren • Kein Werkzeugverschleiß Bearbeitbare Materialien : o Metalle o Keramiken o Glas o Polymere o Halbleiter o Faserverbundstoffe o Dünnschichtsysteme Das Bohren von Mikrolöchern, auch Mikro-Vias genannt, mit wohldefinierter Geometrie gewinnt in verschiedensten Bereichen der Industrie zunehmend an Bedeutung. Die Anwendungen sind dabei äußerst vielfältig. Das Laserbohren mit unterschiedlichsten Bohrstrategien hat sich dabei in verschiedenen Bereichen gegenüber konventionellen Herstellungsverfahren durchgesetzt. Die Einsatzgebiete reichen dabei von der Herstellung von Mikrobohrungen in Durchflussfiltern, Mikrosieben und Inhalatoren über Bohrungen in Hochleistungssolarzellen bis hin zu Einspritzdüsen in der Automobilindustrie oder Herstellung von Inkjet-Druckdüsen. Die Vorteile des Laserbohrens: Das Laserbohren ist eine Kraft- und kontaktfreie Bearbeitung. Eine Verformung des Materials durch Werkzeuge findet somit nicht statt. Es entstehen zudem keine zusätzlichen Werkzeugkosten durch Verschleiß. Die Lasertechnik punktet zudem mit einem genau dosierbaren Energieeintrag, der geringen Wärmezufuhr ins Material sowie der außerordentlich hohen Präzision und Reproduzierbarkeit. Eine Nachbearbeitung der Bohrung ist deshalb nicht notwendig. Zusätzliche Vorteile entstehen durch die Flexibilität in der Bohrungsgeometrie. So können beispielsweise durch Variationen in der Bearbeitungsstrategie Mikrobohrungen mit einem großen Aspektverhältnis (dem Verhältnis von Bohrtiefe zu Bohrungsdurchmesser) oder auch Löcher mit definierten Wandwinkeln hergestellt werden. Laserquellen Je nach Anwendung und Aufgabe kommen bei der Herstellung dieser Mikrobohrungen unterschiedliche Laser zum Einsatz. Während für Kunststoffe oft Excimer-Laser oder Festkörperlaser im UV-Bereich verwendet werden, sind es in der Metallbearbeitung meistens Festkörperlaser im sichtbaren oder Infraroten Spektralbereich. Die Größe der dabei erzielten Bohrungen ist unter anderem abhängig von Material, Strahlquelle, Pulsdauer und Energiedichte und kann dadurch von wenigen Mikrometern bis zu einigen Millimetern variieren. Ein weiterer entscheidender Faktor ist die Wahl der Bohrtechnik. Bohrverfahren Perkussionsbohren: Doch die Wahl des richtigen Lasers allein ist für den Erfolg nicht ausreichend. Auch das entsprechende Bohrverfahren spielt eine entscheidende Rolle. Bekannte Bohrtechniken sind das Perkussionsbohren und das Trepanieren. Beim Perkussionsbohren werden mehrere Laserpulse auf die Oberfläche des Materials geführt bis das Loch erzeugt oder die gewünschte Bohrtiefe des Sacklochs erreicht ist. Dieses Verfahren ist sehr schnell, es können mehrere hundert- oder tausend Bohrungen pro Sekunde erzeugt werden. Je nach Strahlführung lassen Bohrungen mit festem Durchmesser oder variabler Bohrungsgeometrie (Konizität) realisieren. Trepanierbohren: Beim Trepanieren werden die Löcher ausgeschnitten. Die Vorteile des Trepanierens liegen zum einen in der Herstellung von Löchern mit großem Bohrungsdurchmesser und großer Reproduzierbarkeit, sowie der Möglichkeit der Herstellung von nicht kreisrunden Bohrungen. Zugleich wird beim Trepanieren die Konizität der Bohrung verringert. FSLA™ für transparente Materialien: Die patentierte FSLA™-Technologie (Flow Supported Laser Ablation) ermöglicht das Bohren von Mikrolöchern mit präziser Geometrie (gerade, zylindrisch) in transparenten Materialien wie zum Beispiel Glas oder Saphir. Zudem ist diese Bohrverfahren perfekt für die Herstellung komplexer Freiform- und Hinterschnittgeometrien geeignet. Weitere Informationen: https://3d-micromac.de/laser-mikrobearbeitung/applikationen/fsla/

Schneiden von Photovoltaikzellen in Halb-, Drittel- und Shinglezellen. Freiformschneiden möglich. Schneiden mittels TLS-Technologie. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ - Formate von 1/2 bis 1/6-Zellen und Größen bis zu M12 - Freiformschneiden - Leistungssteigerung von bis zu 2W durch TLS-Technologie Die patentierte Lasertechnologie von 3D-Micromac zum direkten Schneiden von Solarzellen ist die führende Methode zum Schneiden von Zellen. Wenn herkömmliche Schneidverfahren an ihre Grenzen stoßen, kommt die TLS-Technologie mit ultrakurzen Pulsen ins Spiel. Exzellente Schnittqualitäten mit hoher Reproduzierbarkeit und Genauigkeit können garantiert werden. Egal ob Halbzelle, Drittelzelle, Viertelzelle oder die zukunftsweisende Sechszelle. Durch die große Flexibilität der TLS-Technologie ist es möglich, unsere Kunden umfassend zu unterstützen. Anpassung in der Anzahl der Zellschnitte, Variation in der Größe der Substrate bis zu 220mm oder eine hohe Flexibilität in der Formfreiheit. Von siliziumbasierten Zelltypen wie PERC, TOPCon, HJT bis IBC ist die Bearbeitung Ihrer mono- und polychristalinischen Photovoltaikzellen möglich.

TLS-Dicing ist eine einzigartige Laser-Technologie zum Trennen von Wafern in einzelne Chips bei der Back-End-Verarbeitung von Halbleitern. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserem TLS-Dicing™: TLS-Dicing™ ist eine ideale Lösung zum Dicing von Wafern und bietet viele Vorteile gegenüber derzeit etablierten Konkurrenztechnologien wie mechanischem Sägen und Laserablation. • Perfekte Seitenwände ohne Abplatzungen und Mikrorisse mit überragender Biegefestigkeit • Partikelfreie Bearbeitung / keine Wärmeeinflusszone • Kraftfreie und berührungslose Bearbeitung • Unabhängig der Gitterebene • Trennen von Rückseitenmetall ohne Abplatzungen im selben Bearbeitungsschritt • Das Schneiden von Materialstapeln ist möglich • Hohe Trenngeschwindigkeit: 300 mm/s • Sehr glatte Kanten (reduziert den Dioden-Leckstrom) • Sauberer und nahezu trockener Prozess • Nahezu keine Ausbrüche und Mikrorisse für weniger Bruch • Kein Werkzeugverschleiß • Zero-Kerf Dicing ermöglicht schmalere Straßenbreiten, wodurch mehr Chips pro Wafer möglich sind Zusätzliche technische Informationen: • Positioniergenauigkeit: 5µm • Wiederholgenauigkeit: 1µm Bearbeitbare Materialien sind u.a.: • Siliziumkarbind (SiC) • Silizium (Si) • Germanium (Ge) • Galliumarsenid (GaAs) Einsatzgebiete • Halbleiterindustrie Das Trennen von Wafern ist ein wesentlicher Prozess in der Halbleiterherstellung, der für die effiziente Chipherstelllung entscheidend ist. Da die Substratgrößen für SiC-Wafer immer größer werden und neue Anwendungen wie 3D/Stacked-Die-Packages die Dicke der Siliziumwafer beeinflussen, werden gängige Wafer-Dicing-Methoden wie das mechanische Säge in ihrer praktischen Anwendung zunehmend eingeschränkt. TLS (Thermal Laser Separation) ist eine neuartige Wafer-Dicing Methode, die erhebliche Vorteile bei den Produktionskosten, dem Durchsatz und Ausbeute für SiC- und Silizium-Wafer bietet. TLS-Dicing™ ist eine einzigartige Technologie zur Trennung von Wafern in einzelne Chips in der Back-End-Halbleiterverarbeitung. Beim TLS-Dicing™ wird thermisch induzierter mechanischer Stress verwendet, um spröde Halbleitermaterialien wie Siliziumkarbind (SiC), Silizium (Si), Germanium (Ge) und Galliumarsenid (GaAs). Ein Laser erwärmt die festen, spröden Materiale und erzeugt eine Zone mit Druckspannung und umgebender tangentialer Zugspannung. Eine zweite gekühlte Zone, die einen minimalen Abstand zur ersten Zone aufweist, erzeugt eine erneute Spannung. Die resultierende Zugspannung hat dabei in der Überlagerungsregion beider Spannungsmustern ein lokales Maximum, das scharf fokussiert ist und eine eindeutige Ausrichtung hat (senkrecht senkrecht zur Straße) und ist somit in der Lage, die Rissspitze zu öffnen und durch das Material zu führen. TLS-Dicing™ selbst ist immer ein One-Pass-Verfahren, das die gesamte Dicke des Wafers auf einmal trennt. Ausgangspunkt ist ein flacher Scribe, der entweder lokal oder kontinuierlich an der Oberfläche des Wafers erfolgt. Der lokale Scribe wird bevorzugt, um die höchste Biegefestigkeit und die geringste Partikelbildung zu gewährleisten. Andererseits bietet der kontinuierliche Scribe die besten Ergebnisse für Produkte mit Metall in der Straße und verbessert die Geradlinigkeit des Spaltprozesses. Da es sich beim TLS-Dicing™ um einen Spaltprozess handelt, sind die Kanten glatt und frei von Restspannungen oder Mikrorissen und Spaltzonen. Jegliche Reduzierung der Biegefestigkeit infolge des Spaltprozesses ist gegenüber ablativen Lasertechnologien deutlich geringer. Darüber hinaus wird das Rückseitenmetall getrennt, ohne dass es zu Delamination oder Hitzeeinwirkung kommt.